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標簽 > FET

FET簡介

  場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件

FET百科

  場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。

  FET電路工作原理

  一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動,所以實際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對于FET,由于柵極沒有電流流過,所以實際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實際上,VGS是以源極為基準的,像N溝JFET那樣,當源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負號。因此,VS等于將VGS加到VG上時,就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對于FET來說,當器件型號和工作點(ID)不同時,VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過,ID=IS,所以上式也可以寫成: VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。

FET電路

  由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因為漏極電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS

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