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      Omron

      EE-SY1200

      SENSOR PHOTO ULTRA COMP SMD

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      EE-SY1200 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        20 mA
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        30 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        30 V
      • 通道數(shù)量
        1
      • 輸出配置
        Phototransistor
      • 輸出電流
        20 mA
      • 輸出電壓
        30 V
      • 輸入電流
        50 mA
      • 相應(yīng)時間
        30 μs
      • 波長
        940 nm
      • 正向電流
        50 mA
      • 正向電壓
        1.2 V
      • 感應(yīng)距離
        4 mm
      • 感應(yīng)方式
        Reflective
      • 反向電壓
        4 V
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 下降時間
        30 μs
      • 上升時間
        30 μs

      Physical

      • 連接器類型
        SMD
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        4
      • 工作溫度
        -25 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SMD

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長度
        3.2 mm
      • 寬度
        1.9 mm

      EE-SY1200 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        來源
      • EE-SY1200
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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