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STGWT80H65DFB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    120 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1.6 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    650 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    650 V
  • 配置
    Single
  • 正向電流
    120 A
  • 柵極電荷
    414 nC
  • 晶體管類型
    溝槽型場截止
  • 反向恢復時間
    85 ns
  • 功率耗散
    469 W

Physical

  • 重量
    0.238311 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    30
  • 制造商封裝
    TO-3P-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    20.1 mm
  • 長度
    15.8 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料