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      Vishay

      SI4670DY-T1-GE3

      MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

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      SI4670DY-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        7 A
      • 輸入偏置電容
        680 pF
      • 漏源電阻
        23 mΩ
      • 漏源電壓
        25 V
      • 漏源極擊穿電壓
        25 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        23 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵極電荷@10V
        18 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        15 ns
      • 功率耗散
        1.8 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        20 ns
      • 下降時(shí)間
        50 ns
      • 上升時(shí)間
        50 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      Dimension

      • 高度
        1.55 mm
      • 長(zhǎng)度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4670DY-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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