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IRLR6225PBF

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    800 mV
  • 閘/源截止電壓
    800 mV
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    100 A
  • 輸入偏置電容@10V
    3.77 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    4 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@21A,4.5V
    4 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    4 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@50uA
    1.1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    72 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    9.7 ns
  • 恢復(fù)時間
    53 ns
  • 功率耗散
    63 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    63 ns
  • 下降時間
    52 ns
  • 上升時間
    37 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    DPAK(TO-252AA)

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料