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SIA907EDJT-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    4.5 A
  • 漏源電阻
    57 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導通電阻
    57 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵極電荷@10V
    23 nC
  • 晶體管類型
    2個P溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    5 ns
  • 功率耗散
    1.9 W, 7.8 W
  • 關閉延遲時間
    30 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    10 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.000988 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK?SC70-6 Dual

Compliance

  • 無鉛
    Contains Lead
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料