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晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):900mW;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);
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