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MJD32C-13

制造商：Diodes

描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
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  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 集電極電流
    3 A
  • 集電極截止電流
    1 μA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@375mA,3A
    1.2 V
  • 集電極-基極電壓
    100 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    100 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    100 V
  • 配置
    Single
  • 轉換頻率
    3 MHz
  • 電流增益 hFE@3A,4V
    10
  • 極性
    PNP
  • 晶體管類型
    PNP
  • 增益帶寬乘積
    3 MHz
  • 發(fā)射極 - 基極電壓
    6 V
  • 功率耗散
    15 W
  • 擊穿電壓
    100 V

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.4 mm
  • 長度
    6.8 mm
  • 寬度
    6.2 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料