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      ON Semiconductor

      ES1D

      DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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      ES1D 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        1 A
      • 額定電壓
        200 V
      • 重復(fù)反向電壓
        200 V
      • 配置
        Single
      • 輸出電流
        1 A
      • 類(lèi)型
        Single
      • 浪涌電流
        30 A
      • 正向電流
        1 A
      • 正向電壓@1A
        920 mV
      • 極性
        Standard
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        30 A
      • 恢復(fù)時(shí)間
        15 ns
      • 平均整流電流
        1 A
      • 峰值非重復(fù)浪涌電流
        30 A
      • 峰值反向電壓
        200 V
      • 容值
        7 pF
      • 反向電壓
        200 V
      • 反向漏電流@200V
        5 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        15 ns
      • 功率耗散
        1.47 W
      • 二極管配置
        獨(dú)立式

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        2
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -50 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        SMA

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        2.2 mm
      • 長(zhǎng)度
        4.75 mm
      • 寬度
        2.95 mm

      ES1D 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      ES1D 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip