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      ON Semiconductor

      TIL113M

      OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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      TIL113M 器件參數(shù)

      Function

      • 額定功率
        800 mW
      • 集電極電流
        150 mA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@2mA,8mA
        1.25 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        30 V
      • 隔離電壓
        4.17 kV
      • 通道數(shù)量
        1
      • 輸出類型
        達林頓晶體管
      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 輸出電流
        150 mA
      • 輸出電壓
        30 V
      • 輸入類型
        DC
      • 輸入電流
        80 mA
      • 輸入電壓類型
        DC
      • 電流傳遞比
        300 %
      • 每個通道的輸出電流
        150 mA
      • 正向電流
        10 mA
      • 正向電壓
        1.2 V
      • 反向電壓
        3 V
      • 反向擊穿電壓
        3 V
      • 功率耗散
        250 mW
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 重量
        0.030159 oz
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        DIP-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free

      TIL113M EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

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