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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • C3M0160120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:35

    產(chǎn)品型號:C3M0160120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15V 脈沖漏極電流:34A 功耗:90W
  • C2M0080120D碳化硅MOSFET2022-05-24 22:27

    產(chǎn)品型號:C2M0080120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓:-10/+25V 脈沖漏極電流:80A 功耗:192W 工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to +150?C
  • C3M0075120K碳化硅MOSFET2022-05-24 22:20

    產(chǎn)品型號:C3M0075120K 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15 脈沖漏極電流:80A 功耗:136W
  • C3M0075120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:14

    產(chǎn)品型號:C3M0075120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15 脈沖漏極電流:80A 功耗:113.6W
  • C3M0075120D碳化硅MOSFET2022-05-24 22:08

    產(chǎn)品型號:C3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15 脈沖漏極電流:80A 功耗:136W
  • E3M0075120D碳化硅MOSFET2022-05-24 21:59

    產(chǎn)品型號:E3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:80A 功耗:145W 工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to +175?C
  • E3M0075120K碳化硅MOSFET2022-05-24 21:52

    產(chǎn)品型號:E3M0075120K 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:80A 功耗:145W 工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to +175?C
  • C3M0075120K-A碳化硅MOSFET2022-05-24 21:43

    產(chǎn)品型號:C3M0075120K-A 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓動態(tài):-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài):4/+15V 脈沖漏極電流:80A 功耗:136W
  • C3M0075120D-A碳化硅MOSFET2022-05-24 21:35

    產(chǎn)品型號:C3M0075120D-A 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓動態(tài):-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài):4/+15V 脈沖漏極電流:80A 功耗:136W
  • C2M0040120D碳化硅MOSFET2022-05-24 21:27

    產(chǎn)品型號:C2M0040120D 漏源電壓:1200V 柵極 - 源極電壓:-10/+25V 柵極 - 源極電壓:-5/+20V 脈沖漏極電流:160A 功耗:278W