產(chǎn)品
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C3M0040120K碳化硅MOSFET2022-05-24 21:19
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：100A 功耗：326W -
C3M0040120D碳化硅MOSFET2022-05-24 21:09
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：100A 功耗：326W -
C3M0040120J1碳化硅MOSFET2022-05-24 21:03
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：：100A 功耗：272W -
C3M0032120K碳化硅MOSFET2022-05-24 20:56
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：120A 功耗：283W -
CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 11:21
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 環(huán)境：高溫操作 -
CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 10:52
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓 環(huán)境：高溫操作 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 -
CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 10:40
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓 環(huán)境：高溫操作 頻率：高達(dá) 8 GHz 的操作 -
CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-24 10:04
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F-AMP 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 10:01
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-24 09:58
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120P 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 典型 PSAT：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率