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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • C3M0060065K碳化硅MOSFET2022-05-21 17:40

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0060065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：99A 功耗：150W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • PC3M0060065L碳化硅MOSFET2022-05-21 17:01

    產(chǎn)品型號(hào)：PC3M0060065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流： 限制：99A 功耗：150W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0045065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:51

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0045065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A 功耗：C:176W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0045065D碳化硅MOSFET2022-05-21 16:42

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0045065D 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:176W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0045065J1碳化硅MOSFET2022-05-21 16:32

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0045065J1 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A 功耗：C:147W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +150?C

  • PC3M0045065L碳化硅MOSFET2022-05-21 16:29

    產(chǎn)品型號(hào)：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:147W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +150?C

  • C3M0025065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:01

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A 功耗：326W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0015065K碳化硅MOSFET2022-05-21 11:41

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：-40 to +175?C

  • C3M0015065D碳化硅MOSFET2022-05-21 11:12

    產(chǎn)品型號(hào)：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度：40 to +175?C

  • CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板2022-05-20 11:44

    產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40025F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 17 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率