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• C3M0045065D碳化硅MOSFET2022-05-21 16:42

  

  產(chǎn)品型號：C3M0045065D 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:176W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0045065J1碳化硅MOSFET2022-05-21 16:32

  

  產(chǎn)品型號：C3M0045065J1 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：限制：132A 功耗：C:147W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +150?C

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• PC3M0045065L碳化硅MOSFET2022-05-21 16:29

  

  產(chǎn)品型號：PC3M0045065L 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：132A 功耗：C:147W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +150?C

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• C3M0025065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:01

  

  產(chǎn)品型號：C3M0025065K 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：251A 功耗：326W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0015065K碳化硅MOSFET2022-05-21 11:41

  

  產(chǎn)品型號：C3M0015065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0015065D碳化硅MOSFET2022-05-21 11:12

  

  產(chǎn)品型號：C3M0015065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流，脈沖寬：418A 功耗，TC=25?C：416W 工作結(jié)溫和存儲溫度：40 to +175?C

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• CG2H40025F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-20 11:44

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

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• CG2H40025P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:42

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

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• CG2H40025F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-20 11:40

  

  產(chǎn)品型號：CG2H40025F 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 17 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 15 dB 小信號增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率

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• CG2H30070F-AMP2高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-20 11:16

  

  產(chǎn)品型號：CG2H30070F-AMP2 應(yīng)用電路：0.5 – 3.0 GHz 應(yīng)用電路 功率：28 V 時 POUT 典型值為 85 W 增益：10分貝功率增益 排水效率：58% 排水效率

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