產(chǎn)品
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CGH40010P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-19 10:31
產(chǎn)品型號：CGH40010P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率：13 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 65 % -
CG2H40010F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 15:38
產(chǎn)品型號：CG2H40010F-AMP 頻率：高達 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40010P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:35
產(chǎn)品型號：CG2H40010P 頻率：高達 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40010F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:28
產(chǎn)品型號：CG2H40010F 頻率：高達 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CGH60008D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:08
產(chǎn)品型號：CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA：8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA：5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐壓性：高擊穿電壓 環(huán)境：高溫操作 頻率：高達 6 GHz 的操作 -
CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 14:36
產(chǎn)品型號：CGHV1J006D-GP4 增益：17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益 PAE：60% 典型值。10 GHz 時的 PAE Psat：6 W 典型 Psat 電壓：40 伏操作 頻率：高達 18GHz 的操作 -
CGH40006P-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 14:16
產(chǎn)品型號：CGH40006P-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 V 操作 -
CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 14:14
產(chǎn)品型號：CGH40006P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 V 操作 -
CGH40006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 12:02
產(chǎn)品型號：CGH40006S-AMP1 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 伏操作 -
CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 11:55
產(chǎn)品型號：CGH40006S 頻段：高達 6 GHz 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 伏