CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CGHV1J006D-GP4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

增益 17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益
PAE 60% 典型值。10 GHz 時的 PAE
Psat 6 W 典型 Psat
電壓 40 伏操作
頻率高達(dá) 18GHz 的操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV1J006D 是碳化硅襯底上的高壓氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；使用 0.25-μm 柵極長度的制造工藝。這種 GaN-on-SiC 產(chǎn)品提供卓越的高頻；高效率的特點(diǎn)。它非常適合在 40 V 和高擊穿電壓下工作在 10 MHz 至 18 GHz 的各種應(yīng)用。

特征
17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益
60% 典型值。10 GHz 時的 PAE
6 W 典型 Psat
40 伏操作
高達(dá) 18GHz 的操作

應(yīng)用
衛(wèi)星通信
PTP 通信鏈接
海洋雷達(dá)
游艇雷達(dá)
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寬帶放大器
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立年電子科技

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