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華科智源是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)。

26 內(nèi)容數(shù) 8.6k 瀏覽量 2 粉絲

IGBT測試儀/設(shè)備

型號: HUSTEC-1600A-MT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 設(shè)備尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
  • 質(zhì)量 30kg
  • 海拔高度 海拔不超過 1000m
  • 儲存環(huán)境 -20℃~50℃
  • 工作環(huán)境 15℃~40℃
  • 相對濕度 20%RH ~ 85%RH
  • 大氣壓力 86Kpa~ 106Kpa
  • 防護(hù) 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
  • 用電要求 AC220V,±10%
  • 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz

--- 產(chǎn)品詳情 ---

HUSTEC華科智源 

HUSTEC-1600A-MT

IGBT測試儀/設(shè)備

 

 

 

一:主要特點(diǎn)

      華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;

 

測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流 

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。

 

二:華科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT測試儀應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

 

三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征:

A:測量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V    

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;

 

序號

測試項(xiàng)目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/span>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/span>

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

3

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

6

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV

 

華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng);自動化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動工作),計(jì)算機(jī)可以記錄測試結(jié)果,測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲,測試方法靈活(可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試),安全穩(wěn)定(對設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測試速度方便快捷。


 


 


 


 

 

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