--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 設(shè)備尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
- 質(zhì)量 30kg
- 海拔高度 海拔不超過 1000m
- 儲存環(huán)境 -20℃~50℃
- 工作環(huán)境 15℃~40℃
- 相對濕度 20%RH ~ 85%RH
- 大氣壓力 86Kpa~ 106Kpa
- 防護(hù) 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
- 用電要求 AC220V,±10%
- 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT測試儀/設(shè)備
一:主要特點(diǎn)
華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;
測試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。
二:華科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT測試儀應(yīng)用范圍
A:IGBT單管及模塊,
B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)
C:大功率二極管
D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測
三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征:
A:測量多種IGBT、MOS管
B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測量精度2mV
E:Vce測量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護(hù)被測量器件
H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能
I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進(jìn)行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;
序號 | 測試項(xiàng)目 | 描述 | 測量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向?qū)▔航?/span> | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向?qū)娏?/span> | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
3 | >200A時(shí),1A | >200A時(shí),±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
6 | >200A時(shí),1A | >200A時(shí),±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng);自動化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動工作),計(jì)算機(jī)可以記錄測試結(jié)果,測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲,測試方法靈活(可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試),安全穩(wěn)定(對設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測試速度方便快捷。





為你推薦
-
柜式動態(tài)測試系統(tǒng)2025-11-14 16:06
產(chǎn)品型號:PSL-AC-2000PRO -
桌面式動態(tài)測試系統(tǒng)2025-11-14 14:09
產(chǎn)品型號:PSL-AC-2000SE -
柜式動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)2025-11-13 15:08
產(chǎn)品型號:DHTGB/DHTRB/DH3TRB -
動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)2025-11-13 14:27
產(chǎn)品型號:DHTGB/DHTRB -
IGBT測試儀2025-07-16 15:14
產(chǎn)品型號:HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm 質(zhì)量:30kg 海拔高度:海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境:-20℃~50℃ 工作環(huán)境:15℃~40℃ -
分立器件測試儀2025-07-16 11:12
產(chǎn)品型號:HUSTEC-DC-2010 主機(jī)尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 主機(jī)重量:<35kg 主機(jī)顏色:銀色系 主機(jī)功耗:<300W 海拔高度:海拔不超過 4000m -
IGBT功率器件測試儀2024-11-11 09:39
產(chǎn)品型號:HUSTEC-1600A-MT 設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm 質(zhì)量:30kg 海拔高度:海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境:-20℃~50℃ 工作環(huán)境:15℃~40℃ -
激光開封機(jī)2024-10-11 16:49
產(chǎn)品型號:HUSTEC-LASER 激光最大輸出功率:≥20W 激光壽命:不少于100000H 激光頻率:1-2000KHz 開封速度:最大8000 mm/s 激光重復(fù)精度:±30um -
半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)2024-09-09 13:46
產(chǎn)品型號:HUSTEC-DC-2010 主機(jī)尺寸: 深 660*寬 430*高 210(mm) 主機(jī)重量:<35kg 主機(jī)顏色: 銀色系 主機(jī)功耗: <300W 海拔高度: 海拔不超過 4000m -
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)2024-05-20 17:10
產(chǎn)品型號:HUSTEC-1600A-MT 主機(jī)尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 主機(jī)重量:<35kg 主機(jī)顏色:銀色系 主機(jī)功耗:<300W 海拔高度:海拔不超過 4000m
-
華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀2025-10-29 10:39
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一:IGBT功率器件測試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的V-I特性測試,測試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣1795瀏覽量 -
華科智源半導(dǎo)體分立器件測試儀2025-10-29 10:28