--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK1819-01MR-VB 產(chǎn)品簡介
2SK1819-01MR-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于高電壓和中功率應(yīng)用。該型號具有適中的導(dǎo)通電阻和電流容量,適用于多種電子設(shè)備和模塊。其主要特點(diǎn)包括 650V 的漏源電壓(VDS)、1100mΩ@VGS=10V 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、7A 的連續(xù)漏極電流(ID)以及 3.5V 的閾值電壓(Vth)。這些特性使其適合用于開關(guān)電源(SMPS)、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動和逆變器等中功率應(yīng)用場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封裝類型 | TO220F | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 650 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | 30 (±) | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 1100 | mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 7 | A |
| 技術(shù) | 平面 | |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
2SK1819-01MR-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,主要包括以下幾個(gè)方面:
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:在中功率開關(guān)電源中,2SK1819-01MR-VB 的中等電壓容量和導(dǎo)通電阻特性使其成為高效能的開關(guān)元件,有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功率損耗。
2. **電池保護(hù)**:在需要保護(hù)電池免受過電流和過電壓的影響的電路中,該型號可以用作保護(hù)開關(guān),確保電池處于安全狀態(tài)。
3. **電機(jī)驅(qū)動**:由于其適中的電流容量,2SK1819-01MR-VB 可用于中功率電機(jī)驅(qū)動電路中的開關(guān)或調(diào)節(jié)器,提供穩(wěn)定的電流輸出。
4. **逆變器**:在中功率逆變器中,2SK1819-01MR-VB 的電壓容量和導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
這些示例展示了 2SK1819-01MR-VB 在中功率應(yīng)用中的靈活性和實(shí)用性,使其成為許多設(shè)計(jì)師的理想選擇。
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