--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NP34N055IHE-VB 產(chǎn)品簡介
NP34N055IHE-VB是一款**單N通道MOSFET**,采用TO252封裝,設(shè)計用于高效能和高電流應(yīng)用。其漏極-源極電壓(VDS)為60V,最大柵極-源極電壓(VGS)可達(dá)±20V,適合多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻,分別為13mΩ(@VGS=4.5V)和10mΩ(@VGS=10V),這使其在開關(guān)過程中能有效降低能量損耗。其額定漏極電流(ID)高達(dá)58A,使其適用于高負(fù)載應(yīng)用。采用Trench技術(shù),該MOSFET在提高開關(guān)速度和降低熱量產(chǎn)生方面表現(xiàn)優(yōu)異。
---
### NP34N055IHE-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **說明** |
|------------------------|----------------------------------|
| **型號** | NP34N055IHE-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單N通道 |
| **最大漏極-源極電壓 (VDS)** | 60V |
| **最大柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 2.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 13mΩ @ VGS=4.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 10mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 58A |
| **技術(shù)** | Trench |
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**:
NP34N055IHE-VB廣泛應(yīng)用于各種**電源管理解決方案**中,包括開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其較低的導(dǎo)通電阻,該MOSFET可以有效減少能量損耗,提升轉(zhuǎn)換效率,從而在充電器和適配器等設(shè)備中提高整體性能。
2. **電動汽車和混合動力系統(tǒng)**:
在**電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動機(jī)控制單元。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻可幫助實(shí)現(xiàn)高效能的電池充放電管理,并且在電動機(jī)驅(qū)動中提供可靠的開關(guān)控制。
3. **工業(yè)自動化與控制**:
NP34N055IHE-VB在**工業(yè)自動化系統(tǒng)**中用于驅(qū)動各種電動機(jī)和負(fù)載,如步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)。其單N通道配置使其在控制電流方向和開關(guān)負(fù)載時具有良好的靈活性。
4. **數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備**:
在**數(shù)據(jù)中心**的電源分配單元(PDU)中,該MOSFET用于實(shí)現(xiàn)高效的電源管理,幫助降低能量消耗,并增強(qiáng)設(shè)備的可靠性,適用于各種服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源模塊。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
該MOSFET在**消費(fèi)電子產(chǎn)品**中也有廣泛應(yīng)用,包括電視、音響設(shè)備和其他家用電器。由于其高效的開關(guān)特性,可以確保在多種操作條件下實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和低功耗。
6. **智能家居設(shè)備**:
在智能家居系統(tǒng)中,NP34N055IHE-VB可用于智能開關(guān)、傳感器和控制模塊,支持高效的電源切換和控制,以提升家庭自動化體驗(yàn)。
NP34N055IHE-VB因其高性能和多樣化的應(yīng)用場景,成為現(xiàn)代電源管理和控制系統(tǒng)中的重要組件。
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