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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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NSG6000R 650V 單相高低側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動芯片

型號： NSG6000R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 NSG6000R

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NSG6000R 650V單相高低側(cè)功率MOSFET驅(qū)動芯片

 

一、概述

NSG6000R是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道，適用于5A以內(nèi)MOS的直接驅(qū)動。NSG6000R采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6000R 其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)600V。NSG6000R采用 SOP8 封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 

二、產(chǎn)品特性

自舉工作的浮地通道
最高芯片耐壓為+650V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達(dá)±50 V/ns
Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
集成VCC、VBS欠壓鎖定電路
-- VCC欠壓鎖定閾值 8.7V/7.7V
-- VBS欠壓鎖定閾值 8.2V/7.3V
內(nèi)部集成柵電阻，適用于5A以內(nèi)MOS
防止直通保護(hù)
-- 死區(qū)時間540ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
SOP8 (S)

 

三、應(yīng)用

電機(jī)控制

空調(diào)/洗衣機(jī)

通用逆變器

逆變器驅(qū)動

 

四、封裝信息

五、簡化示意圖

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