一、概述

PN6795D開(kāi)關(guān)電源芯片方案集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6795D開(kāi)關(guān)電源芯片方案為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM兩種工作模式。內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振、多模式技術(shù)與PWM頻率切換技術(shù)共同提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，頻率抖動(dòng)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)較好的EMI特性；在恒流模式，輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)/短路保護(hù)等。

二、應(yīng)用

開(kāi)關(guān)電源適配器
機(jī)頂盒等外置電源

三、產(chǎn)品特性

內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，小于50mW空載損耗（230VAC）
支持CCM和DCM兩種工作模式
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無(wú)需額外補(bǔ)償電容、無(wú)音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過(guò)溫保護(hù) (OTP)
VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)
CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP）
開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)

四、典型應(yīng)用

PN6795D開(kāi)關(guān)電源芯片方案在24V1A過(guò)EMC上適用，中銘電子作為芯朋微的一級(jí)代理商，可以為客戶提供專業(yè)的方案資料及技術(shù)支持服務(wù)。