### 一、產(chǎn)品簡介

VBsemi 8N65-VB 是一款單N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），采用TO220F封裝。它設(shè)計用于高壓應(yīng)用場合，具有650V的漏極電壓和1100mΩ的低導(dǎo)通電阻。

### 二、詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                   | 數(shù)值                |
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| 封裝類型               | TO220F              |
| 配置                   | 單N溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)         | 650V                |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±30V                |
| 閾值電壓 (Vth)         | 3.5V                |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))     | 1100mΩ @ VGS=10V    |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)      | 7A                  |
| 技術(shù)                   | Plannar             |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**：
  - 8N65-VB 可用作電源開關(guān)管，特別適用于高壓直流電源轉(zhuǎn)換器，如工業(yè)和通信設(shè)備中的電源管理單元。

2. **電動車充電系統(tǒng)**：
  - 在電動車充電樁中，該MOSFET可用于直流充電樁的功率開關(guān)控制，確保高效率和可靠性的能量傳輸。

3. **工業(yè)自動化**：
  - 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，特別是需要處理大電流和高電壓的場合，8N65-VB 可以用于變頻器、電動機控制和電力電子轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

4. **醫(yī)療設(shè)備**：
  - 在高壓直流電源和精密電力控制要求的醫(yī)療設(shè)備中，該器件可用于提供穩(wěn)定的電力輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

通過以上示例，可以看出 8N65-VB 在高壓、高效能和可靠性要求較高的電源管理和功率開關(guān)應(yīng)用中具有廣泛的適用性。