### NTD4809NAT4G-VB 產(chǎn)品簡介
NTD4809NAT4G-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封裝，專為中高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其基于 Trench 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的開關(guān)特性，適合用于要求高效能和低功耗的應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 6mΩ (VGS=4.5V) / 5mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 80A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊
NTD4809NAT4G-VB 在電源管理模塊中應(yīng)用廣泛，包括高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源，尤其適合大電流場合。此外，它也適用于電動機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率放大器。憑借其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力，這款 MOSFET 能夠在多種應(yīng)用中提供卓越的性能和可靠性，確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。