## 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)：BSZ180P03NS3 G-VB**

BSZ180P03NS3 G-VB是一款高性能單P溝道MOSFET，采用DFN8(3x3)封裝。該器件專為需要高效率和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)，適合在-30V的漏源電壓下工作。它具有出色的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，非常適用于負(fù)載開關(guān)和電源管理等場(chǎng)合，能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

## 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：DFN8(3x3)
- **配置**：?jiǎn)蜳溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：-30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：-2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - 18mΩ @ VGS=4.5V
 - 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：-45A
- **技術(shù)**：Trench

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 電源開關(guān)**
  BSZ180P03NS3 G-VB在電源開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠高效地控制負(fù)載電流。特別是在負(fù)電壓電源管理系統(tǒng)中，如負(fù)電源軌開關(guān)和負(fù)電流保護(hù)電路中，它的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了高效能和穩(wěn)定性。

**2. 電動(dòng)汽車**
  在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和逆變器中，BSZ180P03NS3 G-VB可用作負(fù)載開關(guān)和電流控制器。由于其低導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力，這款MOSFET能夠幫助提高電池管理系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

**3. 通信設(shè)備**
  在通信設(shè)備如無線基站和網(wǎng)絡(luò)路由器的電源管理模塊中，BSZ180P03NS3 G-VB可以用于負(fù)電源切換和電流保護(hù)。這些設(shè)備要求穩(wěn)定的負(fù)電源輸出和低功耗，因此該MOSFET的特性非常適合這些應(yīng)用。

**4. 工業(yè)自動(dòng)化**
  在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，如伺服驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器，BSZ180P03NS3 G-VB能夠提供可靠的負(fù)載開關(guān)功能。其低導(dǎo)通電阻能夠減少功率損耗，提升系統(tǒng)的效率，并延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

綜上所述，BSZ180P03NS3 G-VB由于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和良好的耐壓特性，廣泛適用于需要高效負(fù)載開關(guān)和電源管理的各種應(yīng)用領(lǐng)域，能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能。