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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD4906NAT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD4906NAT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD4906NAT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NTD4906NAT4G-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高功率和高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其極低的導(dǎo)通電阻和出色的電流承載能力,使得 NTD4906NAT4G-VB 在電源管理、工業(yè)自動(dòng)化及其他開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),確保在高負(fù)載條件下的可靠性與高效性,廣泛適用于現(xiàn)代電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: NTD4906NAT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTD4906NAT4G-VB 的超低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低熱損耗并提高整體能效。

2. **電動(dòng)交通工具**: 在電動(dòng)汽車及電動(dòng)摩托車中,該 MOSFET 可以處理高電流需求,確保快速響應(yīng)和可靠性。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**: NTD4906NAT4G-VB 在自動(dòng)化控制系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備中,適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載和電源管理,提供卓越的控制能力和穩(wěn)定性。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 此 MOSFET 適合于電視、音響系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)電源等設(shè)備中,能夠有效管理功率,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

5. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在 LED 照明解決方案中,NTD4906NAT4G-VB 可作為高效的開關(guān)元件,支持調(diào)光和節(jié)能功能,提升用戶的照明體驗(yàn)。

希望這些信息對(duì)您了解 NTD4906NAT4G-VB 的性能和應(yīng)用有所幫助!

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