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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK6207-30C-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BUK6207-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK6207-30C-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品名稱**: BUK6207-30C-VB

**封裝**: TO-252

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK6207-30C-VB是一款高性能的N溝MOSFET,適用于需要高電流處理能力和低導通電阻的應用。該MOSFET采用緊湊的TO-252封裝,利用先進的Trench技術(shù),提供卓越的效率和可靠性,非常適合各種高功率電子電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 30V  
 MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1.7V  
 使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
 - 3mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。電阻值越低,性能越好,功率損耗和發(fā)熱量越少。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 100A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術(shù)**: Trench  
 采用Trench技術(shù),提供優(yōu)越的效率和低導通電阻。

### 應用領域

BUK6207-30C-VB MOSFET非常適合需要高電流和低電阻的應用場合:

1. **電源管理**:
  - **高電流開關**: 適用于需要高電流開關的應用,如電源供應系統(tǒng),其低R_DS(ON)可以減少功率損耗,提高效率。
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,實現(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),適合空間和散熱要求嚴格的系統(tǒng)。

2. **電機驅(qū)動**:
  - **工業(yè)電機控制**: 適合工業(yè)自動化中的高電流電機驅(qū)動,能夠處理大量電流且發(fā)熱量小。
  - **電動汽車**: 適用于電動汽車(EV)的高功率電機控制,為驅(qū)動系統(tǒng)提供高效可靠的開關。

3. **汽車應用**:
  - **電力分配模塊**: 用于汽車電力分配系統(tǒng),確保高電流負載的可靠和高效開關。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 提高混合動力和電動汽車中的BMS性能,有效管理高電流流動。

4. **消費電子**:
  - **電源供應單元(PSU)**: 適用于高功率消費電子產(chǎn)品如游戲電腦和高性能音響系統(tǒng)中的電源供應單元,提供高效率。
  - **充電解決方案**: 在需要高電流充電的設備充電電路中提供高效可靠的開關。

BUK6207-30C-VB以其卓越的電流處理能力和低導通電阻,成為高功率應用中的優(yōu)秀選擇,確保高效和可靠的性能。

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