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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4090-ZK-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4090-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K4090-ZK-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K4090-ZK-E1-AY-VB 是一款高性能的單 N-溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有 30V 的漏源電壓(VDS)和 100A 的高電流處理能力。該器件利用 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì),具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時(shí)為 3mΩ,VGS=10V 時(shí)為 2mΩ。這種超低的導(dǎo)通電阻使其在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有卓越的效率,尤其適用于要求高電流和低功耗的場(chǎng)合。K4090-ZK-E1-AY-VB 非常適合在各種電子設(shè)備中提供高效能和可靠性。

### 二、K4090-ZK-E1-AY-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **通道配置**: 單通道 N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: K4090-ZK-E1-AY-VB 適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是在需要高電流和低損耗的場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,使其在移動(dòng)設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中成為理想選擇。

2. **電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電器**: 在電動(dòng)汽車(chē)充電器中,K4090-ZK-E1-AY-VB 可以用作開(kāi)關(guān)元件,通過(guò)其高電流處理能力,實(shí)現(xiàn)快速充電和有效的能量管理,確保充電過(guò)程的安全和高效。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)器**: 該 MOSFET 適合用于高效 LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的電流和低發(fā)熱量,提高照明系統(tǒng)的性能和耐用性,特別是在高亮度 LED 照明和背光源中。

4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 在電池管理系統(tǒng)中,K4090-ZK-E1-AY-VB 可用于實(shí)現(xiàn)高效的充放電控制,確保電池的安全和長(zhǎng)壽命,特別適用于多串電池的監(jiān)控和管理。

5. **音頻功放**: K4090-ZK-E1-AY-VB 也適合用于音頻功放應(yīng)用中,提供高電流輸出并降低失真和功耗,為音響設(shè)備提供更高的音質(zhì)表現(xiàn)和可靠性。

憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,K4090-ZK-E1-AY-VB 是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組件,能夠在各類(lèi)高效能應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。

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