RL78/G13
Renesas MCU
真正的低功率平臺(tái)（66μA/MHz，僅使用RTC和LVD操作為0.57μA）
應(yīng)用程序，具有1.6-V至5.5-V操作，16至512-KBYTE代碼閃存和32 MHz的41個(gè)DMIP
R01DS0131EJ0370 REV.3.70第1頁(yè)，共211頁(yè)
2023年12月22日
R01DS0131EJ0370
Rev.3.70
2023年12月22日
1。概述
1.1功能
超低功耗技術(shù)
?VDD= 1.6至5.5 V的單電源電壓
?停止模式
?停止模式
?小睡模式
RL78 CPU核心
?帶有三階段管道的CISC架構(gòu)
?最低指令執(zhí)行時(shí)間：可以更改
高速（0.03125μs： @ 32 MHz操作 使用高速芯片振蕩器）至超低速度
（30.5μs： @ 32.768 kHz操作與子系統(tǒng)
鐘）
?地址空間：1 MB
?通用寄存器：（8位寄存器×8）×4
銀行
?片上RAM：2至32 KB
代碼閃存
?代碼閃存：16至512 kb
?塊大?。? kb
?禁止塊擦除和重寫(xiě)（安全性
功能）
?片上調(diào)試功能
?自行編程（帶有引導(dǎo)交換功能/閃光燈屏蔽 窗口功能）
數(shù)據(jù)閃存
?數(shù)據(jù)閃存：4 kb至8 kb
?后臺(tái)操作（BGO）：指令可以是
重寫(xiě)程序內(nèi)存執(zhí)行
數(shù)據(jù)閃存。
?重寫(xiě)數(shù)：1,000,000次（典型）
?重寫(xiě)電壓：VDD = 1.8至5.5 V
高速芯片振蕩器
?從32 MHz，24 MHz，16 MHz，12 MHz，8 MHz中進(jìn)行選擇
6 MHz，4 MHz，3 MHz，2 MHz和1 MHz
?高精度：+/- 1.0％（VDD = 1.8至5.5 V，TA = -20
至 +85°C）
操作環(huán)境溫度
?TA= -40至 +85°C（A：消費(fèi)者應(yīng)用，D：
工業(yè)應(yīng)用）
?TA= -40至 +105°C（G：工業(yè)應(yīng)用）
電源管理和重置功能
?芯片電動(dòng)機(jī)電源（POR）電路
?片上電壓檢測(cè)器（LVD）（選擇中斷和
重置14個(gè)級(jí)別）
DMA（直接內(nèi)存訪問(wèn)）控制器
?2/4頻道
?在8/16位之間傳輸期間的時(shí)鐘數(shù)
SFR和內(nèi)部RAM：2個(gè)時(shí)鐘
乘法器和分隔線/乘數(shù)蓄積器
?16位×16位= 32位（未簽名或簽名）
?32位÷32位= 32位（未簽名）
?16位×16位 + 32位= 32位（未簽名或
簽名）
串行界面
?簡(jiǎn)化的SPI（CSI注1）：2至8個(gè)通道
?UART/UART（支持Lin-Bus）：2至4個(gè)頻道
?I2C/簡(jiǎn)化的I2C通信：3至10個(gè)頻道
計(jì)時(shí)器
?16位計(jì)時(shí)器：8至16個(gè)頻道
?12位間隔計(jì)時(shí)器：1頻道
?實(shí)時(shí)時(shí)鐘：1頻道（日歷99年，
警報(bào)功能和時(shí)鐘
校正功能）
?看門(mén)狗計(jì)時(shí)器：1頻道（可與
專(zhuān)用的低速片
振蕩器）
A/D轉(zhuǎn)換器
?8/10位分辨率A/D轉(zhuǎn)換器（VDD = 1.6至5.5 V）
?模擬輸入：6到26個(gè)頻道
?內(nèi)部參考電壓（1.45 V）和溫度
傳感器注2
I/O端口
?I/O端口：16至120（N-CH開(kāi)放排水I/O [承受 6 V]的電壓：0到4，N-CH開(kāi)口排放I/O
[VDD承受電壓筆記3/eVDD承受 電壓注4]：5至25）
?可以設(shè)置為N-CH開(kāi)放排水，TTL輸入緩沖區(qū)，然后 片上的上拉電阻
?不同的潛在接口：可以連接到1.8/2.5/3
V設(shè)備
?芯片鑰匙中斷功能
?片上時(shí)鐘輸出/蜂鳴器輸出控制器
其他的
?片上BCD（二進(jìn)制十進(jìn)制）校正電路
注釋1。盡管CSI功能通常稱(chēng)為
SPI，在此產(chǎn)品中也稱(chēng)為CSI，所以 在本手冊(cè)中被稱(chēng)為。
2。只能在HS（高速主）中選擇 模式
3。具有20至52針的產(chǎn)品
4。具有64至128針的產(chǎn)品
注釋所安裝的功能取決于產(chǎn)品。
請(qǐng)參閱1.6功能概述。
