芯朋微授權(quán)代理商大電流半橋電機驅(qū)動芯片-ID5S606B
型號:
ID5S606B
一、概述
ID5S606B是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT電機驅(qū)動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構(gòu)成的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力,輸入端具有有效電平邏輯互鎖功能,能夠有效的防止輸出功率管共態(tài)導(dǎo)通。芯片良好的延時匹配功能可以輕松的適用于高頻應(yīng)用場合。
二、特性
高側(cè)浮動偏移電壓600V
輸入信號兼容3.3V和5V邏輯電平
dV/dt 抗干擾能力±50V/nsec
自舉工作的浮地通道
芯片工作電壓范圍10V~20V
低側(cè)具有欠壓保護(hù)功能
輸出拉灌電流能力300mA/600mA
Vs負(fù)電壓能力-5V
高低側(cè)通道均延時匹配
三、應(yīng)用領(lǐng)域
中小型功率電機驅(qū)動
功率MOSFET或IGBT驅(qū)動
半橋功率逆變器
全橋功率逆變器
任意互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器
四、封裝/訂購信息
五、典型應(yīng)用
電機驅(qū)動芯片ID5S606B方案應(yīng)用資料及參考手冊請咨詢芯朋微代理商東莞市中銘電子,專業(yè)的FAE提供技術(shù)支持服務(wù)