--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率范圍 1MHz ~ 50MHz
- 支持工作電壓 0.9V / 1.2V / 1.5V
- 低功耗 低工作電流0.9mA,待機電流100μA
- 單端輸出 CMOS
- RMS相位抖動 0.3ps(12kHz~20MHz帶寬)
- 封裝 3.2×2.5mm
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品特點
封裝尺寸:3.2×2.5mm 小型SMD貼片封裝
支持電源電壓:0.9V / 1.2V / 1.5V(典型)
頻率范圍:1MHz ~ 50MHz
低功耗:
0.9~1.5mA(典型工作電流,@15pF負載)
max待機電流:100μA
輸出邏輯:CMOS 單端輸出
啟動時間:max4ms
相位噪聲(@24MHz,Vdd=1.2V):
-135 dBc/Hz @1kHz
-143 dBc/Hz @10kHz
-150 dBc/Hz @100kHz
-155 dBc/Hz @1MHz
相位抖動(RMS):典型值 0.3ps(12kHz~20MHz)
周期抖動:峰值 ≤ 40ps
占空比:45%~55%
老化率:±3ppm/年(首年 @25°C)
Tri-State 功能:引腳1支持啟用/禁用
符合 RoHS / 無鉛標準
典型應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(IoT)
游戲主機與游戲控制器
智能手機、數(shù)碼相機
可穿戴設(shè)備(手環(huán)、智能手表)
消費類電子產(chǎn)品
設(shè)計建議
為確保晶體振蕩器性能,建議在 Vdd 與 GND 之間盡可能靠近器件的位置布置一個 0.1μF 的旁路電容,用于濾除電源噪聲并提高電源穩(wěn)定性。
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