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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPFH6N03LA G-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPFH6N03LA G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPFH6N03LA G-VB 產(chǎn)品簡介
IPFH6N03LA G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源擊穿電壓為 20V,能夠承受高達(dá) 100A 的漏極電流。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高電流情況下保持高效的開關(guān)性能。IPFH6N03LA G-VB 的低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其適合各種高電流低電壓的開關(guān)和控制應(yīng)用。

### 二、IPFH6N03LA G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:單極 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:20V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V  
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V  
- **最大漏極電流 (ID)**:100A  
- **技術(shù)**:Trench (溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高效電源管理**:
  IPFH6N03LA G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統(tǒng)中。特別是在高效電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,它可以作為主開關(guān)或同步整流器,提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電動(dòng)汽車中,IPFH6N03LA G-VB 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的開關(guān)元件。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保電動(dòng)汽車電機(jī)能夠高效地運(yùn)行,并在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定的性能。

3. **負(fù)載開關(guān)**:
  IPFH6N03LA G-VB 適用于各種負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,它可以在大功率負(fù)載開關(guān)中提供可靠的性能,如電池開關(guān)和電流負(fù)載控制,確保穩(wěn)定性和低功耗。

4. **高電流開關(guān)應(yīng)用**:
  在需要處理高電流的開關(guān)應(yīng)用中,例如大功率的電源保護(hù)和控制電路,IPFH6N03LA G-VB 是一個(gè)理想的選擇。其能夠在高電流情況下保持低導(dǎo)通電阻,提供高效的開關(guān)和控制功能。

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