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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW60R070C6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW60R070C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**
IPW60R070C6-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO247,采用先進(jìn)的超結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù)。這款MOSFET 能夠承受高達(dá)650V的漏源極電壓(VDS),并在±30V的柵源極電壓(VGS)下穩(wěn)定工作。其開啟電壓(Vth)為3.5V,確保能夠在較低的柵源電壓下開啟。MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為75mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)為47A,提供強(qiáng)大的電流處理能力。該器件適用于高電壓和高電流應(yīng)用,能在要求苛刻的環(huán)境中提供高效能和可靠的性能。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝類型**:TO247
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:47A
- **技術(shù)類型**:超結(jié)(SJ)+ 多重外延(Multi-EPI)技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功率耗散 (PD)**:適應(yīng)高功率應(yīng)用
- **典型開關(guān)頻率**:適用于高頻率開關(guān)應(yīng)用

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:IPW60R070C6-VB 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器中,如AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠處理高電壓和高電流,提供高效的功率轉(zhuǎn)換,降低能量損耗。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用于高功率電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,尤其是在需要高電壓和大電流的應(yīng)用中。其高電流能力和低功率損耗特性確保電動(dòng)機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制。

3. **照明系統(tǒng)**:在高壓照明系統(tǒng)(如LED驅(qū)動(dòng)器或高強(qiáng)度放電燈)中,IPW60R070C6-VB 的高電壓耐受性和高電流能力使其成為理想的開關(guān)元件。它能夠在這些應(yīng)用中提供穩(wěn)定的電流和電壓控制,確保照明系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長壽命。

4. **電源保護(hù)電路**:在電源保護(hù)電路中,如過壓保護(hù)和過流保護(hù)電路,該MOSFET 的高電壓和電流處理能力使其能夠有效地保護(hù)電源系統(tǒng)免受過電壓和過電流的損害,保障系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,尤其是在高電壓電源管理和負(fù)載控制應(yīng)用中,IPW60R070C6-VB 可以作為關(guān)鍵開關(guān)元件,提供高效的電流控制和穩(wěn)定的操作性能。

這些應(yīng)用展示了IPW60R070C6-VB 在需要高電壓、高電流和高效性能的各種電子和電力模塊中的廣泛適用性。

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