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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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國(guó)硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè) NMOS 靜態(tài)開(kāi)關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片

型號(hào)： NSG2000

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 寬工作范圍VIN： 最高250V
  • 傳輸延遲 150ns
  • 內(nèi)置高壓側(cè)充電電路 可實(shí)現(xiàn)100%占空比
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源電壓 4.5V至20V
  • 輸入邏輯兼容 3.3V, 5V和15V
  • TS負(fù)壓耐受能力 -9V
  • 寬溫度范圍 -40°C~125°C
  • 輸出級(jí)拉電流 290mA
  • 灌電流能力 600mA
  • 封裝 SOIC8(S)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

國(guó)硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè)NMOS靜態(tài)開(kāi)關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片

一、概述

NSG2000是一款快速、高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá)250V的輸入電壓工作。該器件可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)的充電結(jié)構(gòu)，因而使其能夠無(wú)限期地保持導(dǎo)通。其強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器能夠容易地以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間驅(qū)動(dòng)大的柵極電容，從而使之非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用或者要求快速接通和/或關(guān)斷時(shí)間的靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。NSG2000采用 SOP8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 

二、特性

寬工作范圍VIN：最高250V
針對(duì)快速導(dǎo)通和關(guān)閉通道，具有150ns傳輸延遲
內(nèi)置高壓側(cè)充電電路，可實(shí)現(xiàn)100%占空比
可調(diào)導(dǎo)通占空比
柵極驅(qū)動(dòng)器電源電壓為4.5V至20V
VIN過(guò)壓閉鎖
驅(qū)動(dòng)器電源VCC欠壓閉鎖
 --欠壓鎖定正向閾值4.2V
 --欠壓鎖定負(fù)向閾值4V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
TS負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V
寬溫度范圍-40°C~125°C
輸出級(jí)拉電流/灌電流能力290mA/600mA
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
SOIC8(S)

 

三、應(yīng)用

高邊開(kāi)關(guān)控制器
靜態(tài)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
負(fù)載和電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
電子閥驅(qū)動(dòng)器
高頻高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
光伏關(guān)斷器

 

四、器件信息

五、簡(jiǎn)化示意圖

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