--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最高工作電壓為 700V
- Vs負(fù)壓耐受能力 -9V
- 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 10V到20V
- 拉電流 4.0A
- 灌電流 4.0A
- 封裝 SOIC8(S)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
NSG21867國硅集成700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片
一、產(chǎn)品概述
NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片,具有兩個(gè)獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護(hù)電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達(dá)4A,其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V??捎糜隍?qū)動(dòng)N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。
二、產(chǎn)品特征
自舉工作的浮動(dòng)通道
最高工作電壓為700V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dV/dt耐受能力可達(dá)±50V/nsec
Vs負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動(dòng)電壓:10V到20V
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
--欠壓鎖定正向閾值6V
--欠壓鎖定負(fù)向閾值5.5V
芯片開通/關(guān)斷傳輸延時(shí)
--Ton/Toff=150ns/150ns
高低側(cè)延時(shí)匹配
驅(qū)動(dòng)電流能力:
----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
SOIC8(S)
三、應(yīng)用范圍
電機(jī)控制
空調(diào)/洗衣機(jī)
通用逆變器
微型逆變器驅(qū)動(dòng)程序
四、器件信息


五、簡化示意圖


NSG21867高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片方案應(yīng)用資料及參考手冊請咨詢國硅集成代理商東莞市中銘電子,專業(yè)的FAE提供技術(shù)支持服務(wù)
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