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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務及銷售一體的技術(shù)公司

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NSG21867 國硅集成700V 大電流高、低側(cè) MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

型號： NSG21867

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最高工作電壓為 700V
  • Vs負壓耐受能力 -9V
  • 柵極驅(qū)動電壓 10V到20V
  • 拉電流 4.0A
  • 灌電流 4.0A
  • 封裝 SOIC8(S)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NSG21867國硅集成700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

 

一、產(chǎn)品概述

NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片，具有兩個獨立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達4A，其浮地通道最高工作電壓可達700V?？捎糜隍?qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。
 

二、產(chǎn)品特征

自舉工作的浮動通道
最高工作電壓為700V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dV/dt耐受能力可達±50V/nsec
Vs負壓耐受能力達-9V
柵極驅(qū)動電壓：10V到20V
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
 --欠壓鎖定正向閾值6V
 --欠壓鎖定負向閾值5.5V
芯片開通/關斷傳輸延時
 --Ton/Toff=150ns/150ns
高低側(cè)延時匹配
驅(qū)動電流能力：
 ----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
符合RoSH標準
SOIC8(S)
 

 

三、應用范圍

電機控制
空調(diào)/洗衣機
通用逆變器
微型逆變器驅(qū)動程序
 

 

四、器件信息

五、簡化示意圖

 

NSG21867高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片方案應用資料及參考手冊請咨詢國硅集成代理商東莞市中銘電子，專業(yè)的FAE提供技術(shù)支持服務

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