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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2796L-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2796L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2796L-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2796L-VB 是一款高效的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝,基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)。該器件具備最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 60V,最大漏極電流 (ID) 為 18A,適用于要求高電流和高效率的多種應(yīng)用。K2796L-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 和 10V 的柵極電壓下分別為 85mΩ 和 73mΩ,確保其在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具有卓越的性能,減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **封裝特性**:TO252 封裝提供良好的熱管理性能,適合高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:
  K2796L-VB 非常適合用于**開(kāi)關(guān)電源**和**DC-DC 轉(zhuǎn)換器**,其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中表現(xiàn)出色。這種特性在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中尤為重要,特別是在要求高效能和小型化設(shè)計(jì)的情況下。

2. **電機(jī)控制**:
  在**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**和控制系統(tǒng)中,K2796L-VB 可作為功率開(kāi)關(guān),提供高效能和可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高電流能力和快速開(kāi)關(guān)特性使其能夠在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中保持穩(wěn)定,提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。

3. **汽車電子**:
  該 MOSFET 適用于**汽車電源管理系統(tǒng)**,如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和車載充電器等應(yīng)用。K2796L-VB 的低 RDS(ON) 確保在汽車環(huán)境中的低能耗與高效率,有助于提升電池壽命和整體車輛性能。

4. **消費(fèi)電子**:
  K2796L-VB 也可以用于**消費(fèi)電子產(chǎn)品**中的電源模塊,例如**便攜式設(shè)備充電器**和**智能家居設(shè)備**。其高效率和小型化特性使其成為現(xiàn)代消費(fèi)電子設(shè)備的理想選擇,滿足市場(chǎng)對(duì)高效能和低功耗的需求。

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