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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2865-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2865-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介:
K2865-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓、低功耗應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)為 ±30V,能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。K2865-VB 的開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,適合于需要較高驅(qū)動電壓的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 3440mΩ @ VGS = 4.5V 和 4300mΩ @ VGS = 10V,最大漏極電流(ID)為 2A,適合低功耗的高壓控制和開關(guān)電路。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 3440mΩ @ VGS = 4.5V;4300mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A  
- **技術(shù)**: 平面型(Plannar)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源保護(hù)模塊**:K2865-VB 非常適合用于高壓環(huán)境下的電源保護(hù)電路。其高漏源電壓和較低的導(dǎo)通電流允許其在電源過壓和過載保護(hù)中發(fā)揮重要作用,確保系統(tǒng)在突發(fā)電流時安全運行。

2. **電機驅(qū)動和控制**:雖然其電流容量較小,但 K2865-VB 可用于輕型電機驅(qū)動應(yīng)用,特別是在需要高壓但功率要求不高的環(huán)境中,例如小型家用電器的控制模塊。

3. **光伏逆變器**:在太陽能光伏系統(tǒng)中,K2865-VB 作為高壓轉(zhuǎn)換器的一部分,能有效處理從太陽能板收集的高壓直流電并轉(zhuǎn)換成可用的交流電,適合用于小型或家用光伏發(fā)電系統(tǒng)。

4. **智能家居設(shè)備**:該器件也可以用于智能家居系統(tǒng)中的高壓開關(guān)模塊,如智能燈光控制和其他小型高壓負(fù)載的智能化控制。

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