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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3618-TL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3618-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3618-TL-E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3618-TL-E-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極-源極電壓為100V,最大漏極電流可達(dá)15A,廣泛應(yīng)用于電源管理和開(kāi)關(guān)電路。憑借Trench技術(shù),K3618-TL-E-VB 提供適中的導(dǎo)通電阻,確保高效能和良好的熱管理,是現(xiàn)代電子設(shè)備中理想的開(kāi)關(guān)解決方案。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: K3618-TL-E-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**: K3618-TL-E-VB 在開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用,適合用于各種電源適配器和電池充電器,以提高能效和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 該MOSFET 可用于電機(jī)控制系統(tǒng),特別是在電動(dòng)工具和家用電器中,提供高效的電流切換,提升設(shè)備的響應(yīng)速度。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**: 在LED照明模塊中,K3618-TL-E-VB 可確保電流穩(wěn)定,適用于高效能的商業(yè)和住宅照明系統(tǒng),增強(qiáng)光源的性能和使用壽命。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 該器件也適合用于手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊,幫助提高電池的使用效率和設(shè)備的續(xù)航能力。

5. **工業(yè)控制**: K3618-TL-E-VB 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,可以用于控制高電流負(fù)載,如繼電器和接觸器,為智能控制系統(tǒng)提供可靠的開(kāi)關(guān)解決方案。

通過(guò)這些應(yīng)用,K3618-TL-E-VB 為中等電壓和電流的電源管理提供了可靠的解決方案,滿足多個(gè)行業(yè)的需求。

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