### K3642-VB 產品簡介
K3642-VB 是一款高效 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為低電壓高電流應用設計。其最大漏源電壓為 30V，閾值電壓為 1.7V。在 VGS = 10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 僅為 5mΩ，最大漏電流 (ID) 可達 80A，展現(xiàn)出卓越的導通性能和熱管理能力，適合廣泛的電源管理和開關應用。
### K3642-VB 詳細參數(shù)說明
- **型號**：K3642-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**：30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：5mΩ（在 VGS = 10V 時）
- **最大漏電流 (ID)**：80A
- **技術**：溝槽技術（Trench）
### 應用領域和模塊
K3642-VB 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用，具體包括：
1. **電源管理**：因其低導通電阻和高電流能力，該 MOSFET 適用于高效的電源管理系統(tǒng)，能夠有效降低功耗。
2. **DC-DC 轉換器**：在 DC-DC 轉換器中，K3642-VB 能夠提供穩(wěn)定的電壓輸出，適合便攜式電子設備和電源模塊。
3. **電動汽車驅動**：在電動汽車的驅動系統(tǒng)中，高電流能力確保高效驅動和控制電動機，提升整體性能。
4. **電池管理系統(tǒng)**：該器件在電池管理系統(tǒng)中能夠高效控制充放電過程，提高電池的使用效率和安全性。
5. **LED 照明驅動**：用于 LED 驅動電路時，能夠精準控制電流，確保穩(wěn)定亮度和延長使用壽命。
通過這些應用，K3642-VB 顯示了其在低電壓高電流領域的重要價值。