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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3813-Z-E1-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3813-Z-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3813-Z-E1-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3813-Z-E1-VB 是一款采用 TO-252 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高效電源管理應(yīng)用。它具備 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),可在 4.5V 和 10V 柵源電壓下提供低至 6mΩ 和 5mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。這種低導(dǎo)通電阻和高達(dá) 85A 的額定電流,使其在高電流需求和快速開關(guān)的應(yīng)用中具備優(yōu)勢(shì)。該器件采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),進(jìn)一步提高了其開關(guān)性能和能效,非常適合要求高功率密度和高效率的系統(tǒng)。

### K3813-Z-E1-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-252
- **MOSFET 配置**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)類型**: Trench MOSFET
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **最大功耗 (Ptot)**: 根據(jù)散熱情況,一般為 100W 以上
- **開關(guān)時(shí)間**: 快速開關(guān),適合高頻應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **汽車電子領(lǐng)域**:
  - K3813-Z-E1-VB 非常適合用于電動(dòng)汽車(EV)中的電源管理模塊,例如電機(jī)控制器、直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC)以及電池管理系統(tǒng)(BMS)。其低 RDS(ON) 和高電流能力有助于減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率,尤其在高電流情況下表現(xiàn)突出。

2. **通信設(shè)備電源模塊**:
  - 在基站、路由器和數(shù)據(jù)中心的通信設(shè)備中,該 MOSFET 可以用于直流供電系統(tǒng)和電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)。其高效率開關(guān)特性使其適合高頻電源轉(zhuǎn)換,并能在功率密集型的應(yīng)用中顯著降低熱損耗。

3. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  - K3813-Z-E1-VB 適合用于智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器、電源適配器和快速充電模塊中。其高功率密度和快速響應(yīng)能力可以為快速充電提供更低的熱損耗和更高的穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)設(shè)備控制**:
  - 在工業(yè)電機(jī)控制和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,如工業(yè)風(fēng)扇、電動(dòng)機(jī)和高功率轉(zhuǎn)換器。它的高開關(guān)速度和低功率損耗使其在苛刻的工業(yè)環(huán)境中非??煽俊?/p>

總結(jié)來說,K3813-Z-E1-VB MOSFET 是一款適合高效功率轉(zhuǎn)換和管理的器件,廣泛應(yīng)用于汽車、通信、消費(fèi)電子和工業(yè)等領(lǐng)域。

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