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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4178-ZK-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4178-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K4178-ZK-E1-AY-VB MOSFET

K4178-ZK-E1-AY-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,導(dǎo)通電流(ID)可高達(dá)80A,適合需要高效能和高密度設(shè)計的場合。K4178-ZK-E1-AY-VB采用溝槽(Trench)技術(shù),顯著降低了導(dǎo)通電阻,在4.5V和10V的柵源電壓下,分別為6mΩ和5mΩ。這使得該MOSFET在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效降低熱損耗并提升整體系統(tǒng)的能效。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 80A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)
- **功耗**: 在高電流和低電壓操作下具有優(yōu)異的能量轉(zhuǎn)換效率
- **工作溫度范圍**: 適用于多種工業(yè)應(yīng)用的廣泛工作溫度范圍

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **電源管理模塊**:K4178-ZK-E1-AY-VB非常適合用于電源管理模塊,能夠高效地處理高達(dá)80A的電流,在直流-直流轉(zhuǎn)換和電池充放電管理中提供穩(wěn)定的性能。

2. **LED驅(qū)動器**:該MOSFET在LED驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)良好,能夠驅(qū)動高功率LED并確保在不同工作條件下保持穩(wěn)定的輸出流,減少熱量產(chǎn)生并提升光效。

3. **電動工具**:在電動工具的電源控制中,K4178-ZK-E1-AY-VB可以用作高效的開關(guān)元件,能夠在短時間內(nèi)處理高電流,以確保電動工具的快速啟動和運行。

4. **智能家居設(shè)備**:該MOSFET適用于智能家居系統(tǒng)中的高功率開關(guān),能夠在較低的控制電壓下實現(xiàn)高效能的功率開關(guān),支持各種家庭電器的高效運行。

5. **電動汽車充電器**:K4178-ZK-E1-AY-VB在電動汽車充電器中可提供可靠的功率轉(zhuǎn)換,支持快速充電并確保在不同充電條件下的穩(wěn)定性和安全性,助力電動汽車的普及。

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