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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4213-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4213-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K4213-E1-AY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

K4213-E1-AY-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道功率MOSFET,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。它能夠承受高達 30V 的漏源極電壓 (VDS),并在VGS=10V時具有低至 2mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),使其在高電流情況下依然能保持高效的性能。額定漏極電流 (ID) 高達 100A,確保其在各種功率管理應(yīng)用中能夠提供可靠的性能。采用先進的Trench技術(shù),K4213-E1-AY-VB 不僅具備出色的熱性能,還能實現(xiàn)快速開關(guān),使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中非常高效。該MOSFET 廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及汽車電子等領(lǐng)域。

**K4213-E1-AY-VB 詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

**K4213-E1-AY-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **電源管理**:K4213-E1-AY-VB 適用于高效的電源管理應(yīng)用,特別是在開關(guān)電源(SMPS)中,能夠有效地控制電源轉(zhuǎn)換過程,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動機控制**:由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,該MOSFET 常用于電動機控制應(yīng)用中,例如在電動車、家用電器和工業(yè)自動化設(shè)備中,確保電機在不同負(fù)載條件下穩(wěn)定運行。

3. **電源適配器**:在高功率的電源適配器中,K4213-E1-AY-VB 可用于電流開關(guān)和電流監(jiān)測,確保輸出電流的穩(wěn)定性和安全性,適合智能手機、筆記本電腦等電子設(shè)備的充電模塊。

4. **LED驅(qū)動**:該MOSFET 的低導(dǎo)通電阻使其成為大功率LED驅(qū)動應(yīng)用的理想選擇。它能夠高效地驅(qū)動高亮度LED燈,廣泛應(yīng)用于照明和顯示器行業(yè),確保LED燈具的高效運行。

5. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,K4213-E1-AY-VB 可用于電源分配和管理模塊,如車載電源轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。其高電流和低電壓特性,適應(yīng)汽車環(huán)境中的高負(fù)荷工作條件。

K4213-E1-AY-VB MOSFET 以其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件,特別是在高效能和高可靠性要求的場合。

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