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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K429STL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K429STL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
K429STL-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道MOSFET,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 100V,柵極電壓范圍為 ±20V,開啟電壓 (Vth) 為 1.8V。憑借其 Trench 技術(shù),K429STL-VB 在 VGS=10V 時(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻,僅為 114mΩ,最大漏極電流為 15A。這使得它在電源管理、負(fù)載開關(guān)和電動(dòng)機(jī)控制等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效提升系統(tǒng)效率并降低能耗。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
K429STL-VB MOSFET 由于其高電壓和中等電流的特性,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊中:

1. **電源管理**:K429STL-VB 特別適用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻有助于降低能量損耗,提高整體能效,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2. **負(fù)載開關(guān)**:該MOSFET 可以用作各種電子設(shè)備的負(fù)載開關(guān),能夠在要求較高電壓和電流的情況下高效工作,廣泛應(yīng)用于家電、工控設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。

3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:K429STL-VB 適合在電動(dòng)機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中使用。其高漏極電流能力和穩(wěn)定性能使其能夠有效控制各種中小型電動(dòng)機(jī),包括風(fēng)扇、電動(dòng)工具和機(jī)器人驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

4. **LED照明控制**:在LED照明系統(tǒng)中,K429STL-VB 可用于驅(qū)動(dòng)高電壓LED模塊,確保穩(wěn)定的電流輸出,提升照明效果和設(shè)備壽命。

綜上所述,K429STL-VB MOSFET 是一款在電源管理、電動(dòng)機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)及LED照明等多個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)出色的高效能元件,特別適合在需要高電壓和可靠性的應(yīng)用中使用。

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