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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4P55D-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4P55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K4P55D-VB MOSFET

K4P55D-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠承受高達5A的導通電流(ID)。該器件采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具備較低的導通電阻,在10V的柵源電壓下,RDS(ON)為1000mΩ,確保在運行過程中實現(xiàn)良好的熱管理和能效。K4P55D-VB廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)設備和電動汽車等領(lǐng)域,是需要高電壓和高電流處理的理想選擇。

### 詳細參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大導通電流(ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
- **功耗**: 優(yōu)秀的能量轉(zhuǎn)換效率,適合高電流應用
- **工作溫度范圍**: 可在多種工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定工作

### 應用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **開關(guān)電源**:K4P55D-VB廣泛應用于開關(guān)電源中,能夠高效轉(zhuǎn)換650V電壓,保證高效能和低熱損耗,適合高電流的電源管理需求。

2. **電動機驅(qū)動系統(tǒng)**:在電動機驅(qū)動應用中,K4P55D-VB可以作為功率開關(guān),控制電動機的啟動、運行和停止,確保電動機在高壓條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **工業(yè)自動化設備**:該MOSFET可用于各種工業(yè)自動化設備中的開關(guān)電路,以支持高電壓信號的控制,實現(xiàn)設備的高效運行和能效提升。

4. **電氣設備保護電路**:K4P55D-VB能夠在電氣設備的保護電路中應用,提供過電壓和過電流保護,確保設備安全且穩(wěn)定的運行。

5. **LED驅(qū)動電路**:在LED照明系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動高功率LED,實現(xiàn)高效能的照明解決方案,降低能耗并延長LED使用壽命。

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