### 產品簡介 – K4P60D-VB
K4P60D-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為高電壓和高效率應用設計。它的漏源電壓 (VDS) 可達 650V，柵極電壓 (VGS) 范圍為 ±30V，開啟閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 1000mΩ@VGS=10V，最大漏極電流 (ID) 為 5A。K4P60D-VB 使用先進的 SJ_Multi-EPI 技術，具有出色的電氣特性和高可靠性，廣泛應用于電源管理、工業(yè)控制和消費電子等領域。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (Pd)**: 20W（取決于散熱條件）
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **反向恢復時間 (trr)**: 適用于低頻應用
- **柵極電荷 (Qg)**: 較低，提高開關速度
### 應用領域及模塊舉例
1. **開關電源 (Switching Power Supplies)**
K4P60D-VB 在開關電源模塊中應用廣泛，適用于 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。這款 MOSFET 具有優(yōu)良的導通性能，能夠有效提高電源的轉換效率，確保輸出電壓穩(wěn)定。
2. **LED 驅動 (LED Drivers)**
此 MOSFET 可用于 LED 照明系統(tǒng)中的驅動電路。K4P60D-VB 的高電壓能力和低導通電阻使其能夠驅動大功率 LED，實現(xiàn)高效的光源輸出，適合商業(yè)和家庭照明應用。
3. **電機控制 (Motor Control)**
K4P60D-VB 可用于直流電機和步進電機的控制，適合電機驅動系統(tǒng)。其高耐壓和高電流能力能夠滿足不同電機的驅動需求，廣泛應用于自動化設備和工業(yè)控制。
4. **電源逆變器 (Power Inverters)**
在太陽能和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)中，K4P60D-VB 可作為功率逆變器的開關元件。其高電壓特性和可靠性能夠確保高效的直流轉交流轉換，適用于可再生能源應用。
5. **工業(yè)控制 (Industrial Control)**
K4P60D-VB 也適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)的開關控制。它可用于控制大功率負載，如加熱器和焊接設備，在各種惡劣工作環(huán)境中展現(xiàn)出良好的性能和穩(wěn)定性。
K4P60D-VB 的高性能特性使其成為電源管理和控制領域中的關鍵組件，滿足現(xiàn)代電子設備對高效率和高可靠性的要求。