--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K60P03M1-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
K60P03M1-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。該器件適用于 30V 低壓應(yīng)用,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。該器件的導(dǎo)通電阻在 VGS=4.5V 時為 3mΩ,在 VGS=10V 時為 2mΩ,并能夠處理高達 100A 的連續(xù)漏極電流(ID)。K60P03M1-VB 采用了先進的溝槽(Trench)技術(shù),具有高效的功率轉(zhuǎn)換性能,特別適合需要高電流、高能效的電路。
### 詳細參數(shù)說明:
1. **封裝:** TO252 – 具有較好的熱性能,適合緊湊的電路設(shè)計。
2. **配置:** 單 N 通道 – 用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制。
3. **VDS(漏源電壓):** 30V – 適用于低壓應(yīng)用場景。
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V – 提供較好的驅(qū)動靈活性。
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V – 較低的開啟電壓,適合低功率驅(qū)動。
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V – 極低的導(dǎo)通電阻,減少功率損耗,提升能效。
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 100A – 適合高電流應(yīng)用,保證大功率處理。
8. **技術(shù):** 溝槽(Trench)技術(shù) – 提供高效的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通損耗。
### 應(yīng)用示例:
K60P03M1-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異,以下是該器件的典型應(yīng)用場景:
- **電動工具與電動機驅(qū)動:** 該器件適合在電動工具和直流電動機驅(qū)動中使用,由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,能夠提高設(shè)備的運行效率并降低能量損耗。
- **汽車電子系統(tǒng):** K60P03M1-VB 適合在汽車的功率管理和控制模塊中使用,特別是在電源分配模塊、電池管理系統(tǒng)和電動驅(qū)動控制系統(tǒng)中,幫助優(yōu)化能源分配和提高電路穩(wěn)定性。
- **電源管理模塊(DC-DC 轉(zhuǎn)換器):** 此 MOSFET 也廣泛用于 DC-DC 電源管理系統(tǒng)中,特別是在需要高效率、高電流輸出的開關(guān)電源中,如服務(wù)器、路由器等設(shè)備的電源管理。
- **負載開關(guān):** 由于其極低的導(dǎo)通電阻,K60P03M1-VB 非常適合用作高電流負載的開關(guān)元件,確保功率傳輸?shù)男屎头€(wěn)定性,適合用于家電、照明等設(shè)備。
- **太陽能逆變器:** 該 MOSFET 可用于光伏系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換與能量管理,在逆變器模塊中實現(xiàn)高效的直流到交流轉(zhuǎn)換。
總的來說,K60P03M1-VB MOSFET 以其出色的低導(dǎo)通電阻和高電流能力,特別適合應(yīng)用于電動工具、汽車電子、電源管理模塊及太陽能系統(tǒng)等領(lǐng)域,提供高效的功率控制與轉(zhuǎn)換解決方案。
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