--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K7P60W-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K7P60W-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流的應(yīng)用。該器件的漏源擊穿電壓(VDS)為 650V,柵極驅(qū)動(dòng)電壓(VGS)可達(dá)到 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 500mΩ,額定漏極電流(ID)為 9A。K7P60W-VB 采用先進(jìn)的超結(jié)多重外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),能夠在高壓條件下提供優(yōu)異的開關(guān)性能和能效,適合多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
### 二、K7P60W-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單 N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術(shù)類型**: 超結(jié)多重外延(SJ_Multi-EPI)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
- **功耗**: 在優(yōu)化的設(shè)計(jì)下具備低損耗特性
- **開關(guān)速度**: 優(yōu)秀的開關(guān)性能,適合高頻率應(yīng)用
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**1. 高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
K7P60W-VB 可廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,特別是在需要處理 650V 高壓輸入的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高效率特點(diǎn),有助于提升整體轉(zhuǎn)換效率,降低能耗,適合電源管理系統(tǒng)。
**2. 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)**:
在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 650V 的電壓,確保充電過程中穩(wěn)定和安全的電流傳輸。它的高效開關(guān)特性可以提高充電效率,降低發(fā)熱。
**3. 光伏逆變器**:
K7P60W-VB 非常適合用于光伏逆變器中,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高擊穿電壓和優(yōu)秀的開關(guān)性能,使其能夠在高能量和高頻率條件下穩(wěn)定工作。
**4. 工業(yè)控制系統(tǒng)**:
在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,例如自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)器人,K7P60W-VB 可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制負(fù)載,保證系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性。
**5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
該 MOSFET 也適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高效電源適配器和充電器,提供可靠的電流管理,并確保設(shè)備在高壓和高負(fù)載下的正常運(yùn)行。
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