### 產(chǎn)品簡介 - K801-Z-E1-VB MOSFET
K801-Z-E1-VB 是一款采用 **TO252 封裝** 的 **單一N溝道MOSFET**，專為高效電流控制和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有 **30V 的漏源電壓（VDS）** 和 **±20V 的柵源電壓（VGS）**，適合用于低電壓但高電流的環(huán)境。其 **閾值電壓（Vth）** 為 **1.7V**，確保其在低電壓條件下即可快速導(dǎo)通。K801-Z-E1-VB 的 **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）** 在不同的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下表現(xiàn)出色，分別為 **9mΩ**（當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓為4.5V時(shí)）和 **7mΩ**（當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓為10V時(shí)），使其在高電流應(yīng)用中具有較低的功率損耗和熱量產(chǎn)生。
### 詳細(xì)參數(shù)說明 - K801-Z-E1-VB
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單一N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
- 9mΩ@VGS=4.5V
- 7mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流（ID）**：70A
- **工作溫度范圍**：-55°C ~ 150°C
- **技術(shù)類型**：Trench（溝槽技術(shù)）
- **最大功耗（Ptot）**：50W（在25°C環(huán)境下）
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**：
K801-Z-E1-VB 在 **DC-DC轉(zhuǎn)換器** 和 **電源適配器** 中有廣泛應(yīng)用，特別是用于需要低電壓和高電流的電源設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻特性能夠有效降低能量損耗，提升轉(zhuǎn)換效率，適合用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：
該MOSFET 適合在 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊** 中使用，如在 **電動(dòng)工具** 和 **家用電器** 中控制電機(jī)的啟停。其高電流承載能力（70A）確保在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過程中保持穩(wěn)定性，避免過熱和損壞。
3. **照明控制**：
K801-Z-E1-VB 可用于 **LED驅(qū)動(dòng)電路** 和 **智能照明控制系統(tǒng)**，在這些應(yīng)用中提供穩(wěn)定的電流輸出，確保LED的亮度和效率。由于其低功率損耗特性，該MOSFET 能夠在照明產(chǎn)品中延長使用壽命。
4. **汽車電子**：
該型號(hào)MOSFET 在 **汽車電源管理系統(tǒng)** 和 **電池管理系統(tǒng)** 中也有重要應(yīng)用，能夠在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、車載充電器等模塊中提供高效的電流控制，確保車輛電子設(shè)備的可靠性和安全性。
綜上所述，K801-Z-E1-VB MOSFET 適用于多種電源管理和高電流應(yīng)用，尤其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明控制及汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。