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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K80S06K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K80S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K80S06K3L-VB 產(chǎn)品簡介

K80S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,專為中等電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有 60V 的漏源擊穿電壓(VDS),支持最大 ±20V 的柵極驅(qū)動電壓(VGS),開啟電壓(Vth)為 3V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 12mΩ,而在 VGS=10V 時更低,達(dá)到 4.5mΩ,額定漏極電流(ID)為 97A。K80S06K3L-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),能夠在高電流和高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是理想的功率開關(guān)解決方案。

### 二、K80S06K3L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 12mΩ @ VGS=4.5V  
 - 4.5mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 97A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 具備低損耗特性  
- **開關(guān)速度**: 具有良好的開關(guān)性能,適合高頻率應(yīng)用

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:  
K80S06K3L-VB 非常適合用于各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá) 60V 的電壓和 97A 的電流。其低導(dǎo)通電阻特性能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,特別適合用于電源管理系統(tǒng)。

**2. 電機驅(qū)動控制**:  
在電動機驅(qū)動電路中,該 MOSFET 可用于控制直流電機和步進(jìn)電機,提供穩(wěn)定的電流和快速響應(yīng)。其高額定電流能力和低熱量產(chǎn)生的特點,有助于實現(xiàn)高效的電機控制系統(tǒng)。

**3. 電源適配器**:  
K80S06K3L-VB 可以應(yīng)用于高效電源適配器中,提供良好的功率轉(zhuǎn)換和管理。在消費電子產(chǎn)品中,能夠支持快速充電和穩(wěn)定供電,提升用戶體驗。

**4. LED 照明驅(qū)動電路**:  
該 MOSFET 也非常適用于 LED 照明驅(qū)動模塊中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流控制,確保 LED 在高亮度下穩(wěn)定工作,同時減少能耗和熱量。

**5. 工業(yè)自動化系統(tǒng)**:  
在工業(yè)自動化和機器人技術(shù)中,K80S06K3L-VB 可用于高電流開關(guān)應(yīng)用,支持精確的電源控制和負(fù)載管理,確保設(shè)備在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行。

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