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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KIA3204A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KIA3204A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:KIA3204A-VB

KIA3204A-VB 是一款高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,采用現(xiàn)代化的 Trench 技術(shù)制造,封裝為 TO252。這款 MOSFET 在低電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,具備最高 30V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵極-源極電壓 (VGS)。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確保其在低電壓下迅速開啟。KIA3204A-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時(shí)僅為 2mΩ,在 VGS=4.5V 時(shí)為 3mΩ,展現(xiàn)出極低的導(dǎo)通損耗和出色的電流承載能力,最高可達(dá) 100A。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

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### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3mΩ @ VGS=4.5V  
 - 2mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)  
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 30V  
- **結(jié)溫范圍 (Tj)**: -55°C 至 150°C  
- **總柵電荷 (Qg)**: 34nC (典型)  
- **開關(guān)速度**: 快速開關(guān)特性,適用于高頻率應(yīng)用  
- **功耗 (Ptot)**: 最大 40W  
- **熱阻 (RθJC)**: 1.5°C/W  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**: KIA3204A-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源管理模塊,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。其快速開關(guān)特性確保了高頻操作的穩(wěn)定性,常用于便攜式設(shè)備和計(jì)算機(jī)電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)控制領(lǐng)域,KIA3204A-VB 能夠有效地處理大電流,適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。由于其低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 能夠減少熱損耗,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)器**: 此款 MOSFET 也適用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠高效地驅(qū)動(dòng)高功率 LED。其高開關(guān)頻率特性確保了 LED 照明的高效能和可靠性,適用于工業(yè)照明和商業(yè)照明系統(tǒng)。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: KIA3204A-VB 適合用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦和家電等。這些產(chǎn)品對功耗和性能有高要求,該 MOSFET 能夠提供優(yōu)良的電源轉(zhuǎn)換效率,確保產(chǎn)品性能穩(wěn)定。

通過以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出 KIA3204A-VB 在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的適用性,尤其是在需要高效能和低能耗的場合中表現(xiàn)出色。

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