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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KMB035N40DB-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KMB035N40DB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介——KMB035N40DB-VB

KMB035N40DB-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中高壓應用而設計。該器件具有40V的漏源電壓(VDS),適合在相對較高的電壓環(huán)境中運行。其最大柵極電壓(VGS)為±20V,門檻電壓(Vth)為2.5V,確保在較低電壓下實現(xiàn)導通。KMB035N40DB-VB的導通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為14mΩ,而在VGS為10V時降低至12mΩ,提供了優(yōu)越的導通性能,能夠有效降低能量損耗。最大漏極電流(ID)為55A,使其適合在電源管理、直流電機驅動和其他功率轉換應用中使用?;赥rench技術,KMB035N40DB-VB在熱穩(wěn)定性和功率密度方面表現(xiàn)優(yōu)異,是高效能開關電路和電源轉換器件的理想選擇。

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### 詳細參數(shù)說明

1. **器件配置:**
  - 配置:單N溝道
  - 封裝類型:TO252

2. **電氣參數(shù):**
  - 漏源電壓(VDS):40V
  - 柵極電壓(VGS):±20V
  - 門檻電壓(Vth):2.5V

3. **導通電阻:**
  - RDS(ON)= 14mΩ @ VGS=4.5V
  - RDS(ON)= 12mΩ @ VGS=10V

4. **電流能力:**
  - 最大漏極電流(ID):55A

5. **技術:**
  - 技術類型:Trench技術

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### 應用領域與模塊示例

1. **電源管理模塊:**
  - KMB035N40DB-VB廣泛應用于電源管理模塊,如開關電源和DC-DC變換器。其低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合在高效能電源轉換過程中使用,能夠有效減少功率損耗并提高能效。

2. **直流電機驅動:**
  - 該MOSFET可以用于直流電機驅動電路,提供高效的開關控制。憑借其高電流能力,KMB035N40DB-VB適合驅動高功率電機,能夠在各種工業(yè)和消費類電機控制應用中表現(xiàn)出色。

3. **LED照明驅動:**
  - 在LED照明系統(tǒng)中,KMB035N40DB-VB可用于驅動電路,保證LED的穩(wěn)定運行。其優(yōu)異的導通性能能夠確保LED燈具在高效能和長壽命的條件下運行。

4. **家用電器與消費電子:**
  - 在家用電器和其他消費電子產品中,KMB035N40DB-VB可用于高效開關電源和功率轉換模塊,提供穩(wěn)定和高效的電力管理,確保設備在各種工作狀態(tài)下的可靠性和高效能。

綜上所述,KMB035N40DB-VB憑借其卓越的電氣性能和廣泛的應用領域,是高效能開關電路和電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。

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